特許

J-GLOBAL ID：201503000596153030

太陽電池の製造方法

発明者： 久蔵 学 ,  西村 太佑 ,  松島 徳彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-247668
公開番号（公開出願番号）：特開2015-106624
出願日： 2013年11月29日
公開日（公表日）： 2015年06月08日
要約：

【課題】 従来よりも設備および製造工程を削減することができて、簡便な方法でn型シリコン基板に逆導電型層およびBSF層を形成することができる太陽電池素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 n型のシリコン基板の表主面に、ボロンを含むp型シリコン層と、該p型シリコン層の上に配置されボロンおよびシリコンを含むガラス層と、を有するボロン含有層を形成するボロン含有層形成工程と、前記シリコン基板の前記表主面を前記ガラス層で保護した状態で、前記シリコン基板の裏主面にn+型シリコン層を形成するn+型層形成工程と、を含む工程を行う。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

n型のシリコン基板の表主面に、ボロンを含むp型シリコン層と、該p型シリコン層の上に配置されボロンおよびシリコンを含むガラス層と、を有するボロン含有層を形成するボロン含有層形成工程と、 前記シリコン基板の前記表主面を前記ガラス層で保護した状態で、前記シリコン基板の裏主面にn+型シリコン層を形成するn+型層形成工程と、 を含む太陽電池素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (15件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA16 ,  5F151CB03 ,  5F151CB05 ,  5F151CB11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA15