特許
J-GLOBAL ID:201503000596606590
はんだ材料及び接合構造体
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西川 惠清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-245191
公開番号(公開出願番号):特開2015-100833
出願日: 2013年11月27日
公開日(公表日): 2015年06月04日
要約:
【課題】良好な熱疲労特性を有するはんだ部を形成することが可能なはんだ材料を提供する。【解決手段】Pを含むNiめっきを有するAu電極のはんだ付けに用いられるはんだ材料に関する。はんだ材料におけるAg、Bi、Cu、Inの含有率(質量%)をそれぞれ[Ag]、[Bi]、[Cu]、[In]とすると、0.3≦[Ag]≦4.0のAgと、0≦[Bi]≦1.0のBiと、0<[Cu]≦1.2のCuとを含む。0<[Cu]<0.5の範囲内では、6.0≦[In]≦6.8の範囲内のInを含む。0.5≦[Cu]≦1.0の範囲内では、5.2+(6-(1.55×[Cu]+4.428))≦[In]≦6.8の範囲内のInを含む。1.0<[Cu]≦1.2の範囲内では、5.2≦[In]≦6.8の範囲内のInを含む。残部は、87質量%以上のSnのみである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Pを含むNiめっきを有するAu電極のはんだ付けに用いられるはんだ材料であって、
前記はんだ材料におけるAg、Bi、Cu、Inの含有率(質量%)をそれぞれ[Ag]、[Bi]、[Cu]、[In]とすると、
0.3≦[Ag]≦4.0のAgと、
0≦[Bi]≦1.0のBiと、
0<[Cu]≦1.2のCuとを含み、
0<[Cu]<0.5の範囲内では、
6.0≦[In]≦6.8の範囲内のInを含み、
0.5≦[Cu]≦1.0の範囲内では、
5.2+(6-(1.55×[Cu]+4.428))≦[In]≦6.8の範囲内のInを含み、
1.0<[Cu]≦1.2の範囲内では、
5.2≦[In]≦6.8の範囲内のInを含み、
残部は、87質量%以上のSnのみであることを特徴とする、
はんだ材料。
IPC (3件):
B23K 35/26
, C22C 13/00
, H05K 3/34
FI (3件):
B23K35/26 310A
, C22C13/00
, H05K3/34 512C
Fターム (4件):
5E319BB05
, 5E319BB08
, 5E319BB10
, 5E319GG03
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
はんだ材料および実装体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-060383
出願人:パナソニック株式会社
審査官引用 (1件)
-
はんだ材料および実装体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-060383
出願人:パナソニック株式会社
前のページに戻る