特許

J-GLOBAL ID：201503000639777955

電界効果型トランジスタ

発明者： 笘井 重和 ,  矢野 公規 ,  古田 守
出願人/特許権者： 出光興産株式会社 ,  公立大学法人高知工科大学
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013000215
公開番号（公開出願番号）：WO2013-108630
出願日： 2013年01月18日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：

電子キャリア密度nが1.0×1018cm-3<n<1.0×1020cm-3であり、かつ、膜厚tが32nm≦t≦300nmである酸化物薄膜を含み、前記酸化物薄膜の表面に保護膜として、125°C以上で成膜されたシリコン化合物膜を有する電界効果型トランジスタ。

請求項（抜粋）：

電子キャリア密度nが1.0×1018cm-3<n<1.0×1020cm-3であり、かつ、膜厚tが32nm≦t≦300nmである酸化物薄膜を含み、前記酸化物薄膜の表面に保護膜として、125°C以上で成膜されたシリコン化合物膜を有する電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/363

FI (5件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618Z ,  H01L21/363

Fターム (56件)：

5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110PP10