特許
J-GLOBAL ID:201503000651666425

光化学電極、水素生成装置、水素生成方法、二酸化炭素還元装置及び二酸化炭素還元方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 徳田 佳昭 ,  野村 幸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-190166
公開番号(公開出願番号):特開2015-055000
出願日: 2013年09月13日
公開日(公表日): 2015年03月23日
要約:
【課題】励起光による表面プラズモンの励起効率を高めることによる反応促進の効率向上を実現する光化学電極を提供する。【解決手段】金属または金属化合物を有する金属領域と、金属または金属化合物を有し、前記金属領域により表面の一部が表面プラズモンを励起するよう周期的に被膜される金属薄膜層と、を備える光化学電極。前記金属薄膜層は、前記金属領域により表面の一部が200nm以上900nm以下の周期で被膜されていても良い。【選択図】図3
請求項(抜粋):
金属または金属化合物を有する金属領域と、 金属または金属化合物を有し、前記金属領域により表面の一部が表面プラズモンを励起するよう周期的に被膜される金属薄膜層と、 を備える光化学電極。
IPC (5件):
C25B 11/06 ,  C25B 9/00 ,  C25B 1/10 ,  C25B 3/04 ,  C25B 11/08
FI (7件):
C25B11/06 A ,  C25B9/00 A ,  C25B1/10 ,  C25B3/04 ,  C25B9/00 H ,  C25B9/00 G ,  C25B11/08
Fターム (26件):
4K011AA15 ,  4K011AA29 ,  4K011AA31 ,  4K011AA68 ,  4K011DA01 ,  4K011DA11 ,  4K021AA01 ,  4K021AB25 ,  4K021AC02 ,  4K021AC09 ,  4K021BA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BA17 ,  4K021BC01 ,  4K021BC08 ,  4K021CA05 ,  4K021CA08 ,  4K021DB05 ,  4K021DB11 ,  4K021DB12 ,  4K021DB18 ,  4K021DB19 ,  4K021DB20 ,  4K021DB31 ,  4K021DC03 ,  4K021DC15

前のページに戻る