特許
J-GLOBAL ID：201503000979113610
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (14件)：
蔵田 昌俊
, 高倉 成男
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 野河 信久
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 赤穂 隆雄
, 井上 正
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-139058
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003236
特許番号：特許第5823354号
出願日： 2012年06月20日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層と、前記半導体層上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上のコントロールゲート電極とを具備し、
前記電荷蓄積層は、前記第1の絶縁層上のフローティングゲート層と、前記フローティングゲート層上の界面絶縁層と、前記界面絶縁層上の第1のチャージトラップ層と、前記第1のチャージトラップ層上の第2のチャージトラップ層とを備え、
前記第2のチャージトラップ層のトラップ準位は、前記第1のチャージトラップ層のトラップ準位よりも低く、
前記第1のチャージトラップ層は、単斜晶構造を有し、前記第2のチャージトラップ層は、立方晶構造を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
