特許

J-GLOBAL ID：201503001058043052

隣接するデータ状態間の谷内のメモリセル状態

発明者： パルタサラティ,シヴァグナナム ,  カヤット,パトリック アール. ,  ケイナック,ムスタファ エヌ. ,  アイゼンフート,ロバート ビー.
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-525546
公開番号（公開出願番号）：特表2015-531140
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2015年10月29日
要約：

本開示は、隣接するデータ状態間の谷内のメモリセル状態に関する装置および方法を含む。いくつかの方法は、メモリセルの状態が、それぞれのデータ状態と関連付けられる隣接する状態の分布間の谷内にあるかどうかを判定することを含むことができる。該方法はまた、メモリセルのデータ状態、およびメモリセルの状態が谷内にあるかどうかを示す信号を伝送することを含むことができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

メモリセルの状態が、それぞれのデータ状態と関連付けられる隣接する状態の分布間の谷内にあるかどうかを判定することと、 前記メモリセルのデータ状態、および前記メモリセルの前記状態が前記谷内にあるかどうかを示す信号を伝送することと、を含む、方法。

IPC (6件)：

G11C 29/12 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/50 ,  G11C 29/42 ,  G06F 12/16

FI (6件)：

G11C29/00 673V ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 639Z ,  G11C29/00 673M ,  G11C29/00 631D ,  G06F12/16 320E

Fターム (13件)：

5B018GA02 ,  5B018HA14 ,  5B018NA06 ,  5B018QA14 ,  5B225BA01 ,  5B225CA14 ,  5B225DE09 ,  5B225EA05 ,  5B225FA05 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12 ,  5L106DD31 ,  5L106FF05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性メモリの適応型エンデュランス・コーディング方法及びシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-097570   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 部分参照電圧を利用するメモリアクセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-184665   出願人：マーベルワールドトレードリミテッド
• 特定のデータ量子化のメモリからの出力
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-550560   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
• 分類コードを使用したソフトデータの判定
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2015-553731   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.