特許

J-GLOBAL ID：201503001270382398

半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 貴久
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (4件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文 ,  黒瀬 泰之 ,  三谷 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-046020
公開番号（公開出願番号）：特開2015-170791
出願日： 2014年03月10日
公開日（公表日）： 2015年09月28日
要約：

【課題】リフローさせたはんだ部分が、バンプ電極からはみ出して下方に垂れてしまうことを防止する。【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板10上にカバーレジスト14を成膜する工程と、カバーレジスト14に開口部21を設ける工程と、第1の熱処理によりカバーレジスト14を硬化する工程と、開口部21内に、上部にはんだからなる第3の導電層17を有するバンプ電極を埋め込む工程と、第2の熱処理により第3の導電層17をリフローさせる工程と、カバーレジスト14を除去する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上にレジストを成膜する工程と、 前記レジストに開口部を設ける工程と、 第1の熱処理により前記レジストを硬化する工程と、 前記開口部内に、上部にはんだ部分を有するバンプ電極を埋め込む工程と、 第2の熱処理により前記はんだ部分をリフローさせる工程と、 前記第2の熱処理を実行した後、前記レジストを除去する工程と を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/92 604B ,  H01L21/92 602D