特許

J-GLOBAL ID：201503001397308634

弾性波装置及びその製造方法

発明者： 神藤 始
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013057488
公開番号（公開出願番号）：WO2013-141168
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

高音速化を図り得るだけでなく、スプリアスとなる他のモードによる応答の影響を受け難い、弾性波装置を提供する。 ニオブ酸リチウム膜5を有し、SH型表面波を利用する弾性波装置であって、支持基板2と、前記支持基板2上に形成されており、前記ニオブ酸リチウム膜5を伝搬する弾性波音速より伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜3と、前記高音速膜3上に積層されており、前記ニオブ酸リチウム膜5を伝搬するバルク波音速より伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜4と、前記低音速膜4上に積層された前記ニオブ酸リチウム膜5と、前記ニオブ酸リチウム膜5の一方面に形成されているIDT電極6とを備え、ニオブ酸リチウム膜5のオイラー角を(0°±5°,θ,0°)としたときに、θが0°〜8°及び57°〜180°の範囲内にある、弾性波装置1。

請求項（抜粋）：

ニオブ酸リチウム膜を有し、SH型表面波を利用する弾性波装置であって、 支持基板と、 前記支持基板上に形成されており、前記ニオブ酸リチウム膜を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜と、 前記高音速膜上に積層されており、前記ニオブ酸リチウム膜を伝搬するバルク波音速より伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、 前記低音速膜上に積層された前記ニオブ酸リチウム膜と、 前記ニオブ酸リチウム膜の一方面に形成されているIDT電極とを備え、 前記ニオブ酸リチウム膜のオイラー角を(0°±5°,θ,0°)としたときに、θが0°〜8°及び57°〜180°の範囲内にある、弾性波装置。

IPC (3件)：

H03H 9/25 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/145

FI (3件)：

H03H9/25 C ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 C

Fターム (8件)：

5J097AA14 ,  5J097BB02 ,  5J097EE08 ,  5J097FF01 ,  5J097FF05 ,  5J097GG04 ,  5J097HA03 ,  5J097KK09