特許
J-GLOBAL ID：201503001538743887
光微小共振器
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-039159
公開番号（公開出願番号）：特開2015-162670
出願日： 2014年02月28日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：
【課題】InP基板上に形成されたInAs量子ドット等により形成される中心層を有する共振器構造において、小型で、高い品質因子Qを得ることのできる光微小共振器を提供する。【解決手段】微小な発光体を含み、第1の材料111を含む材料により形成された中心層11と、中心層の一方の側に設けられた第1の通常DBR層21と、中心層の他方の側に設けられた第2の通常DBR層22と、中心層と第1の通常DBR層との間に設けられた第1の遷移DBR層31と、中心層と第2の通常DBR層との間に設けられた第2の遷移DBR層32と、を有し、第1の遷移DBR層及び第2の遷移DBR層は、第2の材料112により形成される層及び/または第3の材料113により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら、交互に積層されており、第3の材料は、第2の材料よりも屈折率の高い材料であって、中心層に近づくに従って光の減衰率が徐々に小さくなっている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
微小な発光体を含み、第1の材料を含む材料により形成された中心層と、
前記中心層の一方の側に設けられた第1の通常DBR層と、
前記中心層の他方の側に設けられた第2の通常DBR層と、
前記中心層と前記第1の通常DBR層との間に設けられた第1の遷移DBR層と、
前記中心層と前記第2の通常DBR層との間に設けられた第2の遷移DBR層と、
を有し、
前記第1の通常DBR層及び前記第2の通常DBR層は、第2の材料と第3の材料とを交互に積層することにより形成されており、
前記第3の材料は、前記第2の材料よりも屈折率の高い材料であって、
前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層は、前記第2の材料と前記第3の材料とを交互に積層することにより形成されており、前記第2の材料により形成される層及び/または前記第3の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、
前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層は、前記中心層に近づくに従って光の減衰率が徐々に小さくなっていることを特徴とする光微小共振器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F173AC04
, 5F173AC10
, 5F173AC14
, 5F173AC20
, 5F173AC23
, 5F173AC26
, 5F173AF08
, 5F173AG05
, 5F173AH12
, 5F173AH30
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP75
, 5F173AQ02
, 5F173AQ03
, 5F173AR96
, 5F173AR99
審査官引用 (3件)
-
Bloch-wave engineering of quantum dot-micropillars for cavity quantum electrodynamics experiments
-
Ultra-high quality factor optical resonators based on semiconductor nanowires
-
Sub-micron diameter micropillar cavities with high Quality factors and ultra-small mode volumes
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