特許

J-GLOBAL ID：201503001716841994

有機発光素子、有機発光素子の製造方法、表示装置および照明装置

発明者： 名取 伸浩 ,  舛谷 享祐 ,  小野 孝彦
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (3件)： 古部 次郎 ,  千田 武 ,  加藤 謹矢
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-230558
公開番号（公開出願番号）：特開2015-090817
出願日： 2013年11月06日
公開日（公表日）： 2015年05月11日
要約：

【課題】有機発光素子等において光の取り出し効率を向上させることを目的とする。【解決手段】有機発光素子10は、陽極層12と、誘電体層13と、陽極層12および誘電体層13を貫通して形成される穴部17と、透光性導電層14と、発光層15aを含む有機半導体層15と、陰極層16と、を備え、誘電体層13は、透光性導電層14および有機半導体層15より屈折率が低く、透光性導電層14は、導電率が10-10S/cm〜10-1S/cmの範囲であり、有機半導体層15のうち最も基板11側に位置する最下点151が、穴部17内の深さ方向において、誘電体層13と陽極層12との界面から、誘電体層13の膜厚の2/3の距離だけ誘電体層13内に入った第1の位置P1と、誘電体層13の膜厚の1/3の距離だけ陽極層12内に入った第2の位置P2との間に存在することを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成される第1電極層と、 前記第1電極層上に形成される誘電体層と、 前記第1電極層および前記誘電体層を貫通して形成される穴部と、 少なくとも前記穴部の底面全体と側面とに沿って形成されるとともに、前記第1電極層と電気的に接して形成される透光性導電層と、 発光層を含み、前記透光性導電層上に形成される有機半導体層と、 前記有機半導体層上に形成される第2電極層と、 を備え、 前記誘電体層は、前記透光性導電層および前記有機半導体層より屈折率が低く、 前記透光性導電層は、導電率が10-10S/cm〜10-1S/cmの範囲であり、 前記有機半導体層のうち最も前記基板側に位置する最下点が、前記穴部内の深さ方向において、前記誘電体層と前記第1電極層との界面から、当該誘電体層の膜厚の2/3の距離だけ当該誘電体層内に入った位置と、当該誘電体層の膜厚の1/3の距離だけ当該第1電極層内に入った位置との間に存在すること を特徴とする有機発光素子。

IPC (7件)：

H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/22

FI (7件)：

H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/12 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/28 ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/22 Z

Fターム (25件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107BB04 ,  3K107BB05 ,  3K107BB06 ,  3K107BB08 ,  3K107CC02 ,  3K107CC05 ,  3K107CC14 ,  3K107DD22 ,  3K107DD24 ,  3K107DD25 ,  3K107DD28 ,  3K107DD52 ,  3K107DD88 ,  3K107EE07 ,  3K107EE21 ,  3K107EE29 ,  3K107FF04 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  3K107GG24 ,  3K107GG28