特許
J-GLOBAL ID：201503001797487812
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柏岡 潤二
, 大森 鉄平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-167515
公開番号（公開出願番号）：特開2015-037091
出願日： 2013年08月12日
公開日（公表日）： 2015年02月23日
要約：
【課題】フィン型電界効果トランジスタのダミーゲートを形成する際に、選択比を確保しつつエッチングの加工精度を一層向上させるエッチングする方法を提供する。【解決手段】被処理体を用いてフィン型電界効果トランジスタのダミーゲートを形成するための方法である。エッチング工程では、表面波プラズマを用いて、複数のフィンの間に堆積されたゲート材料をエッチングする。エッチング工程の圧力は、50mTorr(6.67Pa)以上である。エッチング工程において、被処理体を載置する載置台に印加される電力は、周波数が10Hz以上200Hz以下で、パルスの周期におけるON時間の割合であるデューティー比が50%以下となるようにパルス変調する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
複数のフィンを有するフィン構造、前記複数のフィン上に形成されたマスク、及び、前記フィン構造上に堆積されたゲート材料を有する被処理体を用いてフィン型電界効果トランジスタのダミーゲートを形成するためのエッチング方法であって、
前記マスクの上面が露出するまで前記ゲート材料をエッチングする第1エッチング工程と、
表面波プラズマを用いて、前記複数のフィンの間に堆積された前記ゲート材料をエッチングする第2エッチング工程と、
を備え、
前記第2エッチング工程の圧力は、50mTorr(6.67Pa)以上であり、
前記第2エッチング工程において、前記被処理体を載置する載置台に印加される電力は、周波数が10Hz以上200Hz以下で、パルスの周期におけるON時間の割合であるデューティー比が50%以下となるようにパルス変調されている、
エッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F004AA09
, 5F004BA20
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB28
, 5F004BC08
, 5F004CA02
, 5F004CA06
, 5F004CA09
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004EA28
