特許
J-GLOBAL ID:201503001922323100

端子溶接方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 矢野 寿一郎 ,  正津 秀明
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-160074
公開番号(公開出願番号):特開2014-022203
特許番号:特許第5751218号
出願日: 2012年07月19日
公開日(公表日): 2014年02月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】 集電箔に活物質を担持した部分と、活物質を担持した部分から突出する前記集電箔が露出した部分と、を有する電極を積層して構成した電極体の、前記露出した集電箔の積層部に端子を溶接する端子溶接方法であって、 前記積層部と前記端子とを溶接する際には、 前記集電箔に活物質を担持した部分が積層配置された部分を押圧して拘束した状態で、 前記積層部の被溶接部よりも、前記電極における前記活物質を担持した部分側を、積層方向の両側から押圧手段によって押圧して前記積層部の集電箔を集箔し、 前記押圧手段は、前記集電箔が露出した部分の前記突出方向において、前記積層部の互いにずれた位置を押圧し、 前記押圧手段と前記被溶接部との前記突出方向における間隔を、所定間隔以上とし、 前記所定間隔を、前記集電箔に活物質を担持した部分が積層配置された部分の拘束を解除した際に前記集電箔が突っ張らない間隔に設定する、 端子溶接方法。
IPC (1件):
H01M 2/26 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01M 2/26 A
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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