特許

J-GLOBAL ID：201503002021777493

固体撮像装置および電子機器

発明者： 秋山 健太郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 稲本 義雄 ,  西川 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-139833
公開番号（公開出願番号）：特開2015-015296
出願日： 2013年07月03日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

【課題】加工容易性とともに、測距精度を高める。【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、光電変換部の上層に形成され、入射光を光電変換部に導く導波路と、導波路の開口付近に形成され、導波路に入射する入射光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素を備える。本技術は、例えば、位相差検出方式によるAF機能を備えるCMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、 前記入射光を前記光電変換部に導く導波路と、 前記導波路の開口付近に形成され、前記導波路に入射する前記入射光の一部を遮光する遮光部と を有する位相差検出画素 を備える固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/359 ,  H04N 5/369

FI (4件)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 590 ,  H04N5/335 690

Fターム (26件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB03 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA34 ,  4M118GA09 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD11 ,  5C024AX01 ,  5C024CY17 ,  5C024CY47 ,  5C024EX12 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31