特許

J-GLOBAL ID：201503002260694908

ドライプラズマエッチング装置用の比例的及び均一な制御されたガス流送出

発明者： ナンゴイ ロイ シー ,  グエン アンドリュー ワイ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-508991
公開番号（公開出願番号）：特表2015-522709
出願日： 2013年04月05日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：

本発明の実施形態は、均一性を改善した、処理ガスを処理チャンバに提供するための方法及び装置に関する。本発明の一実施形態は、ガス注入アセンブリを提供する。ガス注入アセンブリは、入口ハブと、入口ハブに接触して配置された複数の注入通路を有するノズルと、ノズルと入口ハブの間に配置された分配インサートを含む。分配インサートは、入口ハブをノズルの複数の注入通路に接続するように構成された1以上のガス分配通路を有する。1以上のガス分配通路の各々は、複数の出口と接続する1つの入口を有し、入口と複数の出口の各々との間の距離は実質的に等しい。

請求項（抜粋）：

入口ハブと、 入口ハブに接触して配置された複数の注入通路を有するノズルと、 ノズルと入口ハブの間に配置され、入口ハブをノズルの複数の注入通路に接続するように構成された1以上のガス分配通路を有する分配インサートを含み、1以上のガス分配通路の各々は、複数の出口と接続する1つの入口を有し、入口と複数の出口の各々との間の距離は実質的に等しいガス注入アセンブリ。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C16/455 ,  H05H1/46 L ,  H01L21/302 101G ,  H01L21/31 C

Fターム (20件)：

4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030EA11 ,  4K030FA04 ,  4K030KA45 ,  5F004AA01 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB23 ,  5F004BB28 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF20 ,  5F045EH11 ,  5F045EM03