特許
J-GLOBAL ID：201503002578527806
シリコンベース電気光学装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
棚井 澄雄
, 森 隆一郎
, 松尾 直樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013057270
公開番号（公開出願番号）：WO2013-146317
出願日： 2013年03月14日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
第1および第2の導電タイプを呈するシリコン半導体層が積層された領域において、前記第1のシリコン半導体層表面にSi1-xGex(x=0.01〜0.9)層からなる凹凸が設けられており、この上に比較的薄い誘電体が形成され、さらに前記第2の導電タイプを呈するシリコン半導体層が積層されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の導電タイプを呈するようにドープ処理された第1のシリコン半導体層と第2の導電タイプを呈するようにドープ処理された第2のシリコン半導体層の少なくとも一部が積層された構造からなり、前記積層された第1のシリコン半導体層と第2のシリコン半導体層との界面に、比較的薄い誘電体層が形成されたSIS型接合において、前記第1および第2のシリコン半導体層に結合された電気端子からの電気信号により、自由キャリアが、前記比較的薄い誘導体層の両側で蓄積、除去、または反転することにより、光信号電界に作用する自由キャリア濃度が変調されることを利用した電気光学装置であって、
前記第1および第2の導電タイプを呈する第1および第2のシリコン半導体層が積層された領域において、
前記第1のシリコン半導体層の表面にSi1-xGex(x=0.01〜0.9)層からなる凹凸が設けられており、この上に前記比較的薄い誘電体層が形成され、さらに前記第2の導電タイプを呈する第2のシリコン半導体層が積層されていることを特徴とするシリコンベース電気光学装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
2K102AA18
, 2K102BA02
, 2K102BB01
, 2K102BB04
, 2K102BC04
, 2K102BC05
, 2K102BD01
, 2K102CA18
, 2K102CA20
, 2K102CA21
, 2K102DA05
, 2K102DB04
, 2K102DC07
, 2K102DC08
, 2K102DD03
, 2K102EA02
