特許
J-GLOBAL ID:201503002625006991
キャパシタ内蔵基板及びその製造方法、キャパシタ内蔵基板を用いた半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
徳田 佳昭
, 野村 幸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-184633
公開番号(公開出願番号):特開2015-053350
出願日: 2013年09月06日
公開日(公表日): 2015年03月19日
要約:
【課題】従来のシートキャパシタ内蔵基板においては、シートキャパシタそのもの、あるいはシートキャパシタを構成する電極や誘電体の一部を貫通するスキップビアを形成した場合、絶縁信頼性等において課題が発生する場合があった。【解決手段】少なくとも上面銅電極250と、誘電体層150と、下面銅電極240と、を有するシートキャパシタ部330を内蔵してなるキャパシタ内蔵基板110において、前記シートキャパシタ部330の一部に、スキップビア140、160、170を形成すると共に、前記スキップビア140、160、170と、前記上面銅電極250や前記誘電体層150との間に、リング状絶縁部350を設けることで、キャパシタ内蔵基板110の絶縁信頼性を高める。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁樹脂を含む複数の絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた複数の銅電極と、
前記銅電極の一部からなる下面銅電極と、前記下面銅電極の表面に形成された誘電体層と、この誘電体層の上に形成された前記銅電極の一部からなる上面銅電極と、を有するシートキャパシタ部と、前記キャパシタ部の一部を貫通するスキップビアと、を有するキャパシタ内蔵基板であって、
前記スキップビアと前記誘電体層との間と、前記スキップビアと前記上面銅電極と、スキップビアと前記下面銅電極の間は、共に前記絶縁樹脂が充填されてなる、上面観察でリング状を有するリング状樹脂充填部によって電気的に絶縁され、
前記上面電極と前記スキップビアとは、前記上面電極の上に形成されたフィルドビアと前記シートキャパシタ部の上に1層以上の前記絶縁層を介して形成された銅電極とを介して電気的に接続されているキャパシタ内蔵基板。
IPC (3件):
H01L 23/12
, H05K 3/46
, H05K 1/16
FI (5件):
H01L23/12 B
, H05K3/46 Q
, H05K3/46 N
, H05K3/46 B
, H05K1/16 D
Fターム (26件):
4E351AA01
, 4E351AA03
, 4E351BB04
, 4E351BB30
, 4E351BB33
, 4E351DD04
, 4E351DD41
, 4E351GG20
, 5E346AA13
, 5E346AA32
, 5E346AA33
, 5E346AA43
, 5E346AA60
, 5E346CC08
, 5E346CC09
, 5E346CC21
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346DD12
, 5E346DD22
, 5E346FF04
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG28
, 5E346HH01
, 5E346HH40
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