リフトオフ方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小野尚純 , 奥貫佐知子 , 増田さやか
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-016939
公開番号（公開出願番号）：特開2015-144192
出願日： 2014年01月31日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：

【課題】光デバイスの品質を低下させることなくエピタキシー基板を確実に剥離することができるリフトオフ方法を提供する。【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合剤を介して移設基板を接合して複合基板を形成する複合基板形成工程と、複合基板のエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、バッファー層破壊工程が実施された複合基板のエピタキシー基板を剥離し、光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程とを含み、バッファー層破壊工程は、複合基板を加熱してエピタキシー基板と移設基板とに生ずるスプリングバックを緩和させてレーザー光線をバッファー層に照射する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合剤を介して移設基板を接合して複合基板を形成する複合基板形成工程と、複合基板のエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、該バッファー層破壊工程が実施された複合基板のエピタキシー基板を剥離し、光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程と、を含み、該バッファー層破壊工程は、複合基板を加熱してエピタキシー基板と移設基板とに生ずるスプリングバックを緩和させてレーザー光線をバッファー層に照射する、ことを特徴とするリフトオフ方法。

IPC (4件)：

H01L 33/32 , B23K 26/57 , C30B 33/08 , C30B 33/06

FI (4件)：

H01L33/00 186 , B23K26/57 , C30B33/08 , C30B33/06

Fターム (34件)：

4E168AD00 , 4E168AE05 , 4E168CA06 , 4E168CB07 , 4E168CB15 , 4E168DA05 , 4E168DA24 , 4E168DA32 , 4E168DA37 , 4E168DA45 , 4E168HA00 , 4E168HA01 , 4E168JA13 , 4E168JA28 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077ED06 , 4G077FE11 , 4G077FF02 , 4G077FG17 , 4G077FH08 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 5F141AA40 , 5F141CA02 , 5F141CA22 , 5F141CA40 , 5F141CA77 , 5F241AA40 , 5F241CA02 , 5F241CA22 , 5F241CA40 , 5F241CA77

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-307151 出願人：松下電器産業株式会社
リフトオフ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-043304 出願人：株式会社ディスコ
III族窒化物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-139478 出願人：豊田合成株式会社

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