特許

J-GLOBAL ID：201503003145233804

光電子素子

発明者： スナイス、ヘンリー、ジェイムズ ,  クロスランド、エドワード、ジェイムズ、ウィリアム ,  ヘイ、アンドリュー ,  ボール、ジェイムズ ,  リー、マイケル ,  ドカンポ、パブロ
出願人/特許権者： イシス イノベイション リミテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-531644
公開番号（公開出願番号）：特表2015-535390
出願日： 2013年09月17日
公開日（公表日）： 2015年12月10日
要約：

本発明は、光活性領域を含む光電子素子を提供し、この光活性領域は、少なくとも1つのn型層を含むn型領域と、少なくとも1つのp型層を含むp型領域と、n型領域とp型領域との間に配置された、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層とを含む。ペロブスカイト半導体は、一般に光吸収性である。いくつかの実施例では、n型領域とp型領域との間に配置されたものは、i典型的に多孔質であるスカフォールド材料及び典型的にスカフォールド材料の気孔内に配されたペロブスカイト半導体を含む第1の層、及びii前記第1の層の上に配置されたキャッピング層であって、このキャッピング層は、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層である、キャッピング層とを含み、キャッピング層中のペロブスカイト半導体は、第1の層中のペロブスカイト半導体と接触する。前記キャッピング層であり得る開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層は、典型的にはn型領域又はp型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する。本発明は、ペロブスカイトの溶液堆積又は気相堆積を典型的に含むこのような光電子素子を製造するためのプロセスをやはり提供する。一実施例では、プロセスは低温プロセスであり、例えば、全プロセスを、150°Cを超えない1つ又は複数の温度で実行することができる。

請求項（抜粋）：

光活性領域を含む光起電力素子であって、前記光活性領域が、 少なくとも1つのn型層を含むn型領域と、 少なくとも1つのp型層を含むp型領域と、前記n型領域と前記p型領域との間に配置された、 開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層と を含む、光起電力素子。

IPC (11件)：

H01L 51/44 ,  H01L 51/46 ,  H01L 51/48 ,  H01L 31/025 ,  H01L 31/072 ,  H01L 31/074 ,  H01L 31/077 ,  H01L 31/078 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/10 ,  H01L 33/02

FI (16件)：

H01L31/04 112B ,  H01L31/04 112Z ,  H01L31/04 112D ,  H01L31/04 122 ,  H01L31/04 154Z ,  H01L31/04 182Z ,  H01L31/04 186 ,  H01L31/04 320 ,  H01L31/06 400 ,  H01L31/06 455 ,  H01L31/06 460 ,  H01L31/06 520 ,  H01L31/06 600 ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/10 ,  H01L33/00 100

Fターム (29件)：

3K107AA05 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD54 ,  3K107FF15 ,  3K107FF19 ,  5F151AA02 ,  5F151AA07 ,  5F151AA10 ,  5F151AA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB24 ,  5F151CB29 ,  5F151DA03 ,  5F151DA04 ,  5F151DA07 ,  5F151DA16 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151GA03 ,  5F241AA31 ,  5F241CA04 ,  5F241CA46 ,  5F241CA67 ,  5F241CA88 ,  5F241CB13 ,  5F241CB36