特許

J-GLOBAL ID：201503003263891999

フォトミキサおよびその製造方法

発明者： パク、 キュン-ヒュン ,  キム、 ナム-ジェ ,  コ、 ヒュン-ソン ,  イ、 ドン-フン ,  ハン、 サン-ピル ,  リュー、 ハン-チョル ,  パク、 ジョン-ウ ,  ムン、 キ-ウォン ,  キム、 デ-ヨン
出願人/特許権者： 韓國電子通信研究院
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-532961
公開番号（公開出願番号）：特表2015-533023
出願日： 2013年09月17日
公開日（公表日）： 2015年11月16日
要約：

従来の広帯域テラヘルツ分光システムの核心部品であるPCAおよびフォトミキサの現存する制限的な要素を根本的に解決したフォトミキサおよびその製造方法を提示する。提示されたフォトミキサは、基板の上面に形成されるが、光が入射する領域に形成された活性層と、基板の上面に形成されるが、光が入射する領域を除いた残りの領域に形成された熱伝導層とを含む。活性層は、メサ型断面を有するように形成され、熱伝導層は、光が入射する領域を除いた領域にMOCVD法で再成長して平坦化された表面を有するようになる。

請求項（抜粋）：

基板の上面に形成されるが、光が入射する領域に形成された活性層と、 前記基板の上面に形成されるが、前記光が入射する領域を除いた残りの領域に形成された熱伝導層とを含むことを特徴とする、フォトミキサ。

IPC (1件)：

H01S 1/02

FI (1件)：

H01S1/02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 光伝導素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-060693   出願人：キヤノン株式会社
• テラヘルツ放射の発生及び検出用の光伝導性基体上の電極
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-533641   出願人：テラビューリミテッド
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-358691   出願人：日本電気株式会社
• 導波路型受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-168719   出願人：三菱電機株式会社
• MSM型フォトダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-284812   出願人：株式会社デンソー