特許
J-GLOBAL ID：201503003286821769
SOIウェーハの製造方法及び貼り合わせSOIウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-113903
公開番号（公開出願番号）：特開2015-228432
出願日： 2014年06月02日
公開日（公表日）： 2015年12月17日
要約：
【課題】SOIウェーハ製造工程やデバイス製造工程の熱処理工程を通っても単結晶化が進まないように多結晶シリコン層又は非晶質シリコン層を堆積することができるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層又は非晶質シリコン層を形成する工程と、多結晶シリコン層又は非晶質シリコン層の表面、及びボンドウェーハの貼り合わせ面のいずれか又は両方に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を介してベースウェーハとボンドウェーハを貼り合わせる工程と、ボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程とを有する方法であって、ベースウェーハとして抵抗率が100Ω・cm以上のものを用い、ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層又は非晶質シリコン層を形成する工程の前に、ベースウェーハの貼り合わせ面側に熱窒化膜を形成する工程を有するSOIウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
いずれもシリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせSOIウェーハを製造する方法において、
前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層又は非晶質シリコン層を形成する工程と、
該多結晶シリコン層又は非晶質シリコン層の表面、及び前記ボンドウェーハの貼り合わせ面のいずれか又は両方に前記絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜を介して前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハを貼り合わせる工程と、
貼り合わせられた前記ボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程と
を有する方法であって、
前記ベースウェーハとして、抵抗率が100Ω・cm以上のものを用い、前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層又は非晶質シリコン層を形成する工程の前に、前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に熱窒化膜を形成する工程を有することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 21/318
H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
, H01L21/318 A
5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BF56
, 5F058BF64
, 5F058BH20
, 5F058BJ01
