接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265832
公開番号（公開出願番号）：特開2015-120836
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
要約：

【課題】リフロー工程を経ても接着フィルムの剥離が生じず、高信頼性の半導体装置を歩留まり良く製造可能な接着フィルム及びその用途を提供すること。【解決手段】本発明は、被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムであって、熱硬化させた後におけるガラス転移温度以上での線膨張係数が300ppm/K以下の接着フィルムである。熱硬化前の接着フィルムの25°Cにおける貯蔵弾性率は10MPa以上10000MPa以下であることが好ましい。【選択図】図3F

請求項（抜粋）：

被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムであって、熱硬化させた後におけるガラス転移温度以上での線膨張係数が300ppm/K以下である接着フィルム。

IPC (14件)：

C09J 7/00 , H01L 21/52 , H01L 21/301 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/60 , H01L 21/56 , C09J 7/02 , C09J 201/00 , C09J 11/04 , H01L 21/683

FI (13件)：

C09J7/00 , H01L21/52 E , H01L21/78 M , H01L21/78 Q , H01L21/52 D , H01L23/30 R , H01L25/08 Y , H01L21/60 311Q , H01L21/56 R , C09J7/02 Z , C09J201/00 , C09J11/04 , H01L21/68 N

Fターム (69件)：

4J004AA18 , 4J004AB05 , 4J004BA02 , 4J004FA05 , 4J004FA08 , 4J040HA006 , 4J040JA09 , 4J040JB02 , 4J040KA42 , 4J040LA06 , 4J040LA08 , 4J040NA20 , 4J040PA23 , 4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109BA04 , 4M109CA26 , 4M109EA02 , 4M109EA12 , 4M109EB03 , 4M109EB04 , 4M109EB06 , 4M109EB07 , 4M109EB08 , 4M109EB13 , 4M109EC05 , 4M109EC09 , 5F044KK01 , 5F044LL01 , 5F044QQ03 , 5F047AA11 , 5F047AA17 , 5F047BA34 , 5F047BA39 , 5F047BA54 , 5F047BB03 , 5F047BB19 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061BA04 , 5F061CA26 , 5F061CB03 , 5F063AA04 , 5F063AA18 , 5F063AA46 , 5F063BA20 , 5F063CA01 , 5F063DD85 , 5F063EE16 , 5F063EE42 , 5F063EE44 , 5F131AA04 , 5F131BA53 , 5F131BA54 , 5F131CA02 , 5F131CA06 , 5F131CA09 , 5F131CA12 , 5F131CA17 , 5F131CA32 , 5F131DA67 , 5F131EC33 , 5F131EC35 , 5F131EC53 , 5F131EC54 , 5F131EC63 , 5F131EC64 , 5F131EC73 , 5F131EC74

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