特許
J-GLOBAL ID：201503003965647581
炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-250277
公開番号（公開出願番号）：特開2014-040372
特許番号：特許第5794286号
出願日： 2013年12月03日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有底円筒状の容器本体(1a)と該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋体(1b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(1b)に炭化珪素基板からなる種結晶(3)を配置すると共に前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(31)を配置し、前記炭化珪素原料(31)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(3)上に炭化珪素単結晶(8)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記炭化珪素原料(31)の昇華ガス供給面の一部を覆っている形態と、前記炭化珪素原料(31)の加熱が開始されてから一定時間後に前記炭化珪素原料(31)の昇華ガス供給面の一部から離れて新たな昇華ガス供給面を形成する形態とを成す昇華ガス供給調整部材(30)を有し、
前記昇華ガス供給調整部材として、有底円筒状であって、前記容器本体(1a)の内径よりも径が小さく、前記有底円筒の開口側が前記蓋体(1b)に一体化されると共に、側部に貫通穴(30b)が設けられた分離部(30)を有し、
前記容器本体(1a)内に炭化珪素原料(31)が配置され、前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)に取り付けられると、前記炭化珪素原料(31)の表面と前記分離部(30)の底部(30c)とが接し、さらに、前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)に対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、
前記分離部(30)の中空部分において前記底部(30c)と種結晶(3)の間を成長空間領域(32)とし、前記坩堝(1)の加熱が開始されると、前記分離部(30)の外壁と前記容器本体(1a)の内壁との間に露出する前記炭化珪素原料(31)から発生した昇華ガスが前記分離部(30)に設けられた前記貫通穴(30b)を通過して前記成長空間領域(32)に供給され、
前記坩堝(1)の加熱が開始されてから一定時間後に前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)から離れるように相対的に移動し、前記分離部(30)の前記底部(30c)が前記炭化珪素原料(31)から離れることで、前記底部(30c)に接していた前記炭化珪素原料(31)が前記新たな昇華ガス供給面として前記容器本体(1a)内に露出し、当該露出部分から生じた昇華ガスが前記分離部(30)の外壁と前記容器本体(1a)の内壁との間の空間および前記貫通穴(30b)を通過して前記成長空間領域(32)に供給されるようになっていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 23/02 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 23/02
