特許

J-GLOBAL ID：201503004181081056

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者： 櫛部 光弘 ,  金子 桂 ,  大場 康夫 ,  勝野 弘 ,  山田 真嗣
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-197489
公開番号（公開出願番号）：特開2015-065245
出願日： 2013年09月24日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：

【課題】効率が高い半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 実施形態によれば、n形層と、p形層と、発光部と、第1〜第3層と、を含む半導体発光素子が提供される。発光部は、n形層とp形層との間に設けられ、井戸層を含む。第1層は、井戸層とp形層との間に設けられ、第1Mg濃度のAlx1Ga1-x1-y1Iny1N(0 請求項（抜粋）：

窒化物半導体を含むn形半導体層と、 窒化物半導体を含むp形半導体層と、 前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む第1井戸層を含む発光部と、 前記第1井戸層と前記p形半導体層との間に設けられ、第1Mg濃度を有するAlx1Ga1-x1-y1Iny1N(0 IPC (2件)：

H01L 33/32 ,  H01L 33/06

FI (2件)：

H01L33/00 186 ,  H01L33/00 112

Fターム (22件)：

5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA57 ,  5F141CA58 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA92 ,  5F141CA99 ,  5F141CB15 ,  5F241AA03 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA57 ,  5F241CA58 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CA92 ,  5F241CA99 ,  5F241CB15