特許
J-GLOBAL ID：201503004454768735

ウェーハの加工方法

発明者：
松崎 栄

松崎 栄 について

, 
横尾 晋

横尾 晋 について

, 
高橋 宏行

高橋 宏行 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (4件)： 川村 恭子 ,  佐々木 功 ,  久保 健 ,  特許業務法人東京アルパ特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-021211
公開番号（公開出願番号）：特開2015-149385
出願日： 2014年02月06日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：
【課題】有機溶剤を使用せずに、ウェーハに被覆された保護膜を残存させることなく完全に除去できるようにする。【解決手段】ウェーハの表面に保護膜層30を形成する保護膜層形成ステップと、分割予定ラインに沿って保護膜層30に溝35を形成することによりデバイス13を保護するとともに分割予定ラインを露出させるマスクを形成するマスク形成ステップと、マスク形成ステップを実施した後、ウェーハ10の表面にエッチングを施すエッチングステップとを備え、保護膜層形成ステップでは、ウェーハ10の表面を水溶性保護膜33で被覆した後、エッチングに対する耐性を有する耐エッチング保護膜層34を形成する。ウェーハ10の表面の微小凹凸に耐エッチング保護膜が入り込むのを防ぎ、水溶性保護膜33は、水洗いによって容易に除去することができるため、有機溶剤を使用せずに、保護膜を残存させることなく完全に除去することができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
交差する分割予定ラインによって区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを加工する加工方法であって、 ウェーハの表面に保護膜層を形成する保護膜層形成ステップと、 該保護膜層形成ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿って該保護膜層に溝を形成することにより、該デバイスを保護するとともに該分割予定ラインを露出させるマスクを形成するマスク形成ステップと、 該マスク形成ステップを実施した後、ウェーハの表面にエッチングを施すエッチングステップと、を備え、 該保護膜層形成ステップは、ウェーハの表面を水溶性保護膜で被覆した後、該エッチングステップにおけるエッチングに対する耐性を有する耐エッチング保護膜層を形成する、 ウェーハの加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/78 S ,  H01L21/302 104H
Fターム (37件)：
5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DB23 ,  5F004EA02 ,  5F057AA21 ,  5F057AA44 ,  5F057AA49 ,  5F057BA21 ,  5F057BB03 ,  5F057CA14 ,  5F057CA32 ,  5F057DA11 ,  5F057DA23 ,  5F057DA24 ,  5F057DA28 ,  5F057EC12 ,  5F063AA15 ,  5F063AA43 ,  5F063CB02 ,  5F063CB08 ,  5F063CB24 ,  5F063CB30 ,  5F063CC22 ,  5F063DD01 ,  5F063DD42 ,  5F063DD48 ,  5F063DD55 ,  5F063DD64 ,  5F063DF04 ,  5F063DF06 ,  5F063DF12 ,  5F063DF19 ,  5F063DF21 ,  5F063DG03 ,  5F063EE21
引用特許：
審査官引用 (2件)

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