特許

J-GLOBAL ID：201503004572432385

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 友勝 ,  三浦 成久 ,  日野 史郎 ,  古橋 壮之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  松井 重明 ,  倉谷 泰孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-006614
公開番号（公開出願番号）：特開2015-135892
出願日： 2014年01月17日
公開日（公表日）： 2015年07月27日
要約：

【課題】イオン注入した不純物を電気的に活性化する熱処理のために形成した保護膜を用いたゲート絶縁膜の信頼性を高くすることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素からなるドリフト層2に不純物をイオン注入する第1の工程と、ドリフト層2上に熱酸化膜6を形成する第2の工程と、第2の工程の後に、熱酸化膜6上に堆積絶縁膜10を形成する第3の工程と、第3の工程の後に、熱処理して不純物を電気的に活性化する第4の工程と、第4の工程の後に、熱酸化膜又は堆積絶縁膜上に電極7を形成する第5の工程と、を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなるドリフト層に不純物をイオン注入する第1の工程と、 前記ドリフト層上に熱酸化膜を形成する第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記熱酸化膜上に堆積絶縁膜を形成する第3の工程と、 前記第3の工程の後に、熱処理して前記不純物を電気的に活性化する第4の工程と、 前記第4の工程の後に、前記熱酸化膜又は前記堆積絶縁膜上に電極を形成する第5の工程と、 を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/316

FI (11件)：

H01L29/78 658F ,  H01L21/265 602A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652K ,  H01L21/265 Z ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/316 S

Fターム (34件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104DD07 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F058BA06 ,  5F058BB01 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF52 ,  5F058BF61 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ04