特許

J-GLOBAL ID：201503004680696291

固体撮像装置

発明者： 竹本 良章
出願人/特許権者： オリンパス株式会社
代理人 (6件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  高柴 忠夫 ,  鈴木 史朗 ,  橋本 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-067931
公開番号（公開出願番号）：特開2015-192015
出願日： 2014年03月28日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：

【課題】光電変換部が形成された半導体基板を複数段に積層した構成の固体撮像装置において、2段目以降の半導体基板に形成された光電変換部が生成する電気信号を向上させることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】入射された第1の光線を電気信号に変換する第1の光電変換部が形成された第1の半導体層を有する第1の基板と、第1の基板を透過して入射された第2の光線を電気信号に変換する第2の光電変換部が形成された第2の半導体層を有する第2の基板とを備え、第1の基板は、第1の半導体層に第1の光線が入射する側の面である第1の面に接して形成され、第1の面における第1の光線の反射を低減する第1の反射防止膜と、第1の光線が第1の半導体層を透過して第2の光線として出射される、第1の面と反対側の面である第2の面に接して形成され、第2の面における第2の光線の反射を低減する第2の反射防止膜とを備える。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

光電変換部を有する画素が二次元のマトリクス状に複数配置された画素部を具備した複数の基板が積層される構造の固体撮像装置であって、 入射された第1の光線を電気信号に変換する第1の光電変換部が形成された第1の半導体層を有する第1の基板と、 前記第1の基板を透過して入射された第2の光線を電気信号に変換する第2の光電変換部が形成された第2の半導体層を有する第2の基板と、 を備え、 前記第1の基板は、 前記第1の半導体層に前記第1の光線が入射する側の面である第1の面に接して形成され、該第1の面における該第1の光線の反射を低減する第1の反射防止膜と、 前記第1の半導体層に入射した前記第1の光線が該第1の半導体層を透過して前記第2の光線として出射される、前記第1の面と反対側の面である第2の面に接して形成され、該第2の面における該第2の光線の反射を低減する第2の反射防止膜と、 を備えることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 9/07 ,  H01L 27/00

FI (4件)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H04N9/07 A ,  H01L27/00 301A

Fターム (17件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA14 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C065BB30 ,  5C065CC01 ,  5C065EE20