特許
J-GLOBAL ID:201503005175992281

電流センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松下 昌弘
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013051535
公開番号(公開出願番号):WO2013-128993
出願日: 2013年01月25日
公開日(公表日): 2013年09月06日
要約:
小型化できるとともに、検出値を安定して得ること。磁電変換素子(15a〜15d)からなる第1磁電変換素子群(A15)と、磁電変換素子(15e〜15h)からなる第2磁電変換素子群(B15)とが、配線基板(16)の切欠(17)を挟んで配設され、第1及び第2磁電変換素子群は、第1の仮想線(IL1)に対して線対称に配設され、第1及び第2磁電変換素子群内の磁電変換素子(15)が、第2の仮想線(IL2)に対して線対称に配設され、第1の仮想線と第2の仮想線とは、被測定電流路(CB)が配設された配設位置(PP)で直交し、配設位置を中心に点対称となる複数組の磁電変換素子の感度軸の向きはそれぞれ平行又は反平行であり、第1及び第2磁電変換素子群内の隣り合う磁電変換素子との間隔である素子間隔(DA1)が、第1磁電変換素子群と第2磁電変換素子群との最も狭い間隔である群間隔(DG1)よりも狭い。
請求項(抜粋):
被測定電流路に電流が流れたときに発生する磁気を検出する磁電変換素子を複数有し、複数の前記磁電変換素子が配置された配線基板を備えて構成された電流センサであって、 複数の前記磁電変換素子は、半数の前記磁電変換素子からなる第1磁電変換素子群と、残りの半数の前記磁電変換素子からなる第2磁電変換素子群と、からなり、 前記配線基板には、前記被測定電流路が挿通されて且つ配設される切欠が設けられ、 前記第1磁電変換素子群と前記第2磁電変換素子群とが、前記切欠を挟んで配設され、 前記第1磁電変換素子群と前記第2磁電変換素子群とは、第1の仮想線に対して線対称に配設され、 前記第1磁電変換素子群内の前記磁電変換素子は、第2の仮想線に対して線対称に配設され、 前記第2磁電変換素子群内の前記磁電変換素子は、前記第2の仮想線に対して線対称に配設され、 前記第1の仮想線と前記第2の仮想線とは、前記被測定電流路が配設された配設位置で直交し、 前記被測定電流路の前記配設位置を中心に点対称となる複数組の前記磁電変換素子の感度軸の向きはそれぞれ平行又は反平行であり、 前記第1磁電変換素子群内及び前記第2磁電変換素子群内の隣り合う前記磁電変換素子との間隔である素子間隔は、前記第1磁電変換素子群と前記第2磁電変換素子群との最も狭い間隔である群間隔よりも狭いことを特徴とする電流センサ。
IPC (1件):
G01R 15/20
FI (1件):
G01R15/02 B
Fターム (3件):
2G025AA05 ,  2G025AB01 ,  2G025AC01

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