特許

J-GLOBAL ID：201503006202527207

半導体装置および絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者： 三 須 伸一郎 ,  小 倉 常 雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 勝沼 宏仁 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  松野 知紘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-050813
公開番号（公開出願番号）：特開2015-176927
出願日： 2014年03月13日
公開日（公表日）： 2015年10月05日
要約：

【課題】精度よく電流量を検出可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、メイン領域と、センス領域と、前記メイン領域と前記センス領域との間において、前記メイン領域および前記センス領域に設けられたコレクタ層に接し、前記コレクタ層よりも不純物濃度が低い半導体層と、を備えることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが提供される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

メイン領域と、 センス領域と、 前記メイン領域と前記センス領域との間において、前記メイン領域および前記センス領域に設けられたコレクタ層に接し、前記コレクタ層よりも不純物濃度が低い半導体層と、を備えることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/06

FI (10件)：

H01L29/78 657F ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301D