特許

J-GLOBAL ID：201503006234526864

電極箔、電解コンデンサおよび電極箔の製造方法

発明者： 石本 仁 ,  庄司 昌史
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 藤井 兼太郎 ,  鎌田 健司 ,  前田 浩夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-208013
公開番号（公開出願番号）：特開2015-073015
出願日： 2013年10月03日
公開日（公表日）： 2015年04月16日
要約：

【課題】大容量化、ショート発生の低減、及び誘電体層の損傷修復性の向上を実現する電極箔、その製造方法及び電解コンデンサを提供とする。【解決手段】第1弁金属又はその合金からなり、その表層部に多数の凹部と、該凹部が形成されていない表面とを有する基材と、該凹部の内壁及び前記表面に形成された誘電体層と、を備えた電極箔である。前記表面上に設けた誘電体層の上、及び、前記凹部の深さの1/2より上側の凹部上側領域における前記誘電体層の上に保護層が形成されている。前記誘電体層は、少なくとも保護層の下に形成されている部分において、前記第1弁金属を最も多く含有し、前記第1弁金属とは異なる弁金属である第2弁金属を次に多く含有している。前記保護層は、前記第2弁金属を最も多く含有し、前記第1弁金属を次に多く含有している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1弁金属又はその合金からなり、その表層部に多数の凹部と、該凹部が形成されていない表面とを有する基材と、 該凹部の内壁及び前記表面に形成された誘電体層と、 を備えた電極箔であって、 前記表面上に設けた誘電体層の上、及び、前記凹部の深さの1/2より上側の凹部上側領域における前記誘電体層の上に保護層が形成されており、 前記誘電体層は、少なくとも保護層の下に形成されている部分において、前記第1弁金属を最も多く含有し、前記第1弁金属とは異なる弁金属である第2弁金属を次に多く含有しており、 前記保護層は、前記第2弁金属を最も多く含有し、前記第1弁金属を次に多く含有している、電極箔。

IPC (5件)：

H01G 9/055 ,  H01G 9/00 ,  H01G 9/04 ,  C23C 28/04 ,  C25D 9/12

FI (5件)：

H01G9/04 337 ,  H01G9/24 B ,  H01G9/05 L ,  C23C28/04 ,  C25D9/12

Fターム (8件)：

4K044AA06 ,  4K044AB10 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044CA15 ,  4K044CA17 ,  4K044CA18 ,  4K044CA53