特許

J-GLOBAL ID：201503006379428314

半導体基板の製造方法

発明者： 沖本 聖
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-091484
公開番号（公開出願番号）：特開2015-211114
出願日： 2014年04月25日
公開日（公表日）： 2015年11月24日
要約：

【課題】半導体基板を歩留まり良く作製することができる半導体基板の製造方法を得ること。【解決手段】表層をシリコンで構成した半導体基板内にリンを拡散する工程とフッ酸を含む溶液でウェットエッチング処理をする工程(S101)、半導体基板をウェット酸化処理により酸化膜を形成する工程(S103)と、フッ酸を含む溶液で酸化膜を除去する工程(S104)と、半導体基板の表面をリンス処理する工程(S105)と、リンス処理する工程後の半導体基板の表面を水切り・乾燥する工程(S106)とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表層をシリコンで構成した半導体基板内にリンを拡散する工程と、 前記半導体基板に対し、フッ酸を含む溶液でウェットエッチング処理を行う工程と、 前記半導体基板をウェット酸化により酸化膜を形成する工程と、 フッ酸を含む溶液で前記酸化膜を除去する工程と、 前記半導体基板の表面をリンス処理する工程と、 リンス処理する工程後の前記半導体基板の表面を水切り・乾燥する工程と を含む半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L21/304 651L ,  H01L21/308 G

Fターム (12件)：

5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F157AA76 ,  5F157AA77 ,  5F157AA79 ,  5F157AC01 ,  5F157BB01 ,  5F157BB66 ,  5F157CA02 ,  5F157CB03 ,  5F157CB15 ,  5F157CB23