特許

J-GLOBAL ID：201503007091713916

半導体モジュール

発明者： 羽鳥 憲司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012056078
公開番号（公開出願番号）：WO2013-132644
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

パワー半導体チップ(10a,20b)と、パワー半導体チップ(10a)に比べて消費電力が低い低電力部(90c)とが、導電性を有するヒートシンク(60)の所定面(61)の側に設けられている。パワー半導体チップ(10a,20b)とヒートシンク(60)との間に第1の板状絶縁部材(30ab)が延在している。低電力部(90c)とヒートシンク(60)との間に第2の板状絶縁部材(30c)が延在している。第2の板状絶縁部材(30c)のうちで低電力部(90c)に面する部分(33c)は、第1の板状絶縁部材(30ab)のうちでパワー半導体チップ(10a,20b)に面する部分(33ab)に比べて厚い。

請求項（抜粋）：

導電性を有するヒートシンク(60)と、 前記ヒートシンク(60)の所定面(61)の側に設けられたパワー半導体チップ(10a,20b)と、 前記ヒートシンク(60)の前記所定面(61)の側に設けられており前記パワー半導体チップ(10a,20b)に比べて消費電力が低い低電力部(90c)と、 前記パワー半導体チップ(10a,20b)と前記ヒートシンク(60)との間に延在した第1の板状絶縁部材(30ab,30a,35ab)と、 前記低電力部(90c)と前記ヒートシンク(60)との間に延在した第2の板状絶縁部材(30c)と を備え、 前記第2の板状絶縁部材(30c)のうちで前記低電力部(90c)に面する部分(33c)は、前記第1の板状絶縁部材(30ab,30a,35ab)のうちで前記パワー半導体チップ(10a,20b)に面する部分(33ab,33a)に比べて厚い、半導体モジュール(1,1D,1E,1H)。

IPC (1件)：

H01L 23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (8件)：

5F136BA03 ,  5F136BA30 ,  5F136BC05 ,  5F136DA27 ,  5F136DA43 ,  5F136EA13 ,  5F136FA12 ,  5F136FA52