特許

J-GLOBAL ID：201503007304266748

多層配線基板

発明者： 綱島 聡 ,  福山 裕之 ,  中村 誠 ,  脇田 斉
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-188067
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056719
出願日： 2013年09月11日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：

【課題】差動入出力に対応するRF-VIA構造の実装面積を低減し、かつ高周波信号の周波数特性を維持・改善することができる多層配線基板を提供する。【解決手段】導体層と絶縁層とが交互に積層された多層基板内を最上層から最下層まで貫通して形成され、多層基板の最上層に形成された2本の上部高周波信号線路と、多層基板の最下層に形成された2本の下部高周波信号線路とを接続する2本の高周波信号ビアを形成し、導体層の一部が除去されたアンチパッド領域を挟んで2本の高周波ビアの周囲に形成された上下部グランドプレーンと、絶縁層間の導体層とを接続する複数のグランドビアを形成し、この複数のグランドビアを2本の高周波信号ビアの周囲に同心円状に配置することにより疑似同軸構造を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導体層と絶縁層とが交互に積層された多層基板と、 前記多層基板内を最上層から最下層まで貫通して形成された2本の高周波信号ビアと、 前記多層基板の最上層に形成され、前記高周波信号ビアの上端と接続された2本の上部高周波信号線路と、 前記多層基板の最下層に形成され、前記高周波信号ビアの下端と接続された2本の下部高周波信号線路と、 前記導体層の一部が除去された上部アンチパッド領域を挟んで、前記高周波ビアと前記上部高周波信号線路の周囲の少なくとも一部に形成された上部グランドプレーンと、 前記導体層の一部が除去された下部アンチパッド領域を挟んで、前記高周波ビアと前記下部高周波信号線路の周囲の少なくとも一部に形成された下部グランドプレーンと、 前記上部グランドプレーンおよび前記下部グランドプレーンと、前記絶縁層間に積層されている前記導体層とを接続し、前記高周波信号ビアの周囲の少なくとも一部に同心円状に配置された複数のグランドビアと を備えた多層配線基板。

IPC (4件)：

H01P 3/04 ,  H05K 3/46 ,  H01P 1/04 ,  H01P 3/08

FI (5件)：

H01P3/04 ,  H05K3/46 Z ,  H05K3/46 N ,  H01P1/04 ,  H01P3/08

Fターム (14件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA42 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346BB04 ,  5E346BB11 ,  5E346BB16 ,  5E346HH02 ,  5E346HH03 ,  5J011DA12 ,  5J014CA08 ,  5J014CA42 ,  5J014CA56