特許
J-GLOBAL ID：201503007357893001
窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 岩永 勇二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
, 野見山 孝
, 伊藤 浩行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-079741
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211363
特許番号：特許第5744784号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上にAlN結晶をエピタキシャル成長させてAlN層を形成する工程と、
前記AlN層上に第1の窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させて第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
を含み、
前記AlN結晶の成長開始後、且つ前記AlN結晶の成長終了前に、前記基板上へのフェロセンの供給を開始し、前記第1の窒化物半導体結晶の成長開始後、且つ前記第1の窒化物半導体結晶の成長終了前に、前記フェロセンの供給を終了することにより、前記AlN層の少なくとも前記第1の窒化物半導体層側の一部の領域、及び前記第1の窒化物半導体層の前記AlN層側の一部の領域にFeをドーピングする、
窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/34
, C30B 29/38 D
, H01L 29/80 H
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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