特許
J-GLOBAL ID：201503007646313455

半導体装置およびその製造方法

発明者：
鈴木 拓馬

鈴木 拓馬 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-052794
公開番号（公開出願番号）：特開2015-177073
出願日： 2014年03月14日
公開日（公表日）： 2015年10月05日
要約：
【課題】高いチャネル移動度を有する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の上に設けられ、第2導電形の第2半導体領域と、前記第2半導体領域の上に設けられ、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が高く、第1導電形の第3半導体領域と、前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、および前記第1半導体領域に接し、窒素を含み、前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、および前記第1半導体領域との接合部から離れるにつれて前記窒素の濃度が低濃度になる領域があるゲート絶縁膜と、前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、および前記第1半導体領域に、前記ゲート絶縁膜を介して接するゲート電極と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1半導体領域と、 前記第1半導体領域の上に設けられ、第2導電形の第2半導体領域と、 前記第2半導体領域の上に設けられ、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が高く、第1導電形の第3半導体領域と、 前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、および前記第1半導体領域に接し、窒素を含み、前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、および前記第1半導体領域との接合部から離れるにつれて前記窒素の濃度が低濃度になる領域があるゲート絶縁膜と、 前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、および前記第1半導体領域に、前記ゲート絶縁膜を介して接するゲート電極と、 を備えた半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (7件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/50 B ,  H01L29/50 M
Fターム (7件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE17 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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