特許
J-GLOBAL ID:201503007729814715
半導体装置およびその作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-250486
公開番号(公開出願番号):特開2015-144251
出願日: 2014年12月11日
公開日(公表日): 2015年08月06日
要約:
【課題】酸化物半導体膜を用いるトランジスタにおいて、配線などにCuを含む導電膜を用いる新規な半導体装置を提供する。【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の酸化物半導体と、酸化物半導体とゲート絶縁膜を介して重なるゲート電極と、ゲート電極側面に接する第2の絶縁膜と、ゲート電極上面に接する第3の絶縁膜と、を有し、ゲート電極は、Cu-X合金膜(Xは、Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta、Ti、Zr、Mg、Ca、あるいはこれら2種以上の混合物)を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に設けられた酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜を介して前記酸化物半導体と重なる電極と、
前記第1絶縁膜の上に設けられた第2絶縁膜と、
を有し、
前記電極は第1導電膜および第2導電膜を含み、
前記第2導電膜はCuを含み、
前記第2絶縁膜は前記電極の側面と接し、
前記電極の側面において、前記第1導電膜は前記第2絶縁膜と前記第2導電膜に挟まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (15件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 21/824
, H01L 27/115
, H01L 27/108
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/105
, H01L 51/50
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (18件):
H01L29/78 617M
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617L
, H01L29/78 627A
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 618E
, H01L21/28 301B
, H01L29/50 M
, H01L29/58 G
, H01L27/10 434
, H01L27/10 321
, H01L27/10 671C
, H01L27/10 671Z
, H01L29/78 371
, H01L27/10 441
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
, H05B33/22 Z
Fターム (217件):
3K107AA01
, 3K107AA05
, 3K107BB01
, 3K107CC11
, 3K107CC23
, 3K107CC33
, 3K107DD90
, 3K107DD95
, 3K107EE04
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, 5F110QQ19
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