特許
J-GLOBAL ID：201503007852705245
半導体装置及び高周波モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
, 江口 昭彦
, 内藤 和彦
, 佐藤 睦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-548179
特許番号：特許第5721018号
出願日： 2012年11月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 アンテナに接続するためのアンテナ端子と、
RF信号が供給可能にされる複数の外部端子と、
前記アンテナ端子と夫々の前記外部端子との間に設けられる複数の第1高周波スイッチと、
夫々の前記第1高周波スイッチのオン・オフを切り替える制御信号を入力するための複数の制御端子と、を有する半導体装置であって、
前記第1高周波スイッチは、
対応する前記外部端子と前記アンテナ端子との間に設けられ、直列接続された複数の第1電界効果トランジスタと、
前記複数の第1電界効果トランジスタのゲート端子に夫々接続される複数の第1抵抗と、
対応する前記制御端子と前記第1抵抗との間に設けられる第2抵抗と、を有し、
前記複数の外部端子のうち少なくとも1つの端子は、周波数分割複信方式のRF送信信号とRF受信信号とが供給可能にされる第1端子であって、
前記第1端子と前記アンテナ端子との間に設けられる前記第1高周波スイッチにおける前記第2抵抗は、その電流・電圧特性の線形性が前記第1抵抗の電流・電圧特性の線形性よりも高くなるように構成され、
前記複数の外部端子のうち1つの端子は、終端回路が接続可能にされる第4端子であって、
前記第4端子と前記アンテナ端子との間に設けられる前記第1高周波スイッチにおける前記第2抵抗は、その電流・電圧特性の線形性が前記第1抵抗の電流・電圧特性の線形性よりも高くなるように構成される半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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