特許
J-GLOBAL ID：201503008060829629

半導体装置の製造方法

発明者：
増岡 史仁

増岡 史仁 について

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中村 勝光

中村 勝光 について

, 
加地 考男

加地 考男 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-550879
特許番号：特許第5822032号
出願日： 2012年12月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 活性領域と終端領域を有する半導体基板の主面上に絶縁膜を形成し、前記活性領域上の前記絶縁膜をエッチングして第1の開口を形成する工程と、 前記絶縁膜をマスクとして用いて、前記半導体基板を回転させながら前記半導体基板の前記主面の法線方向から20°以上傾斜させた方向から前記半導体基板に不純物を注入して、前記活性領域に拡散層を形成する工程と、 前記終端領域上の前記絶縁膜をエッチングして第2の開口を前記第1の開口と同時に形成する工程と、 前記半導体基板に前記不純物を注入して、前記活性領域に前記拡散層を形成するのと同時に、前記終端領域にリング層を形成する工程とを備え、 前記拡散層は、前記第1の開口よりも前記終端領域側の前記絶縁膜の下方まで延び、 前記第1及び第2の開口を形成する際に、前記第1の開口内に第1の薄膜を残し、前記第2の開口内に第2の薄膜を残し、 前記第1及び第2の薄膜を介して前記半導体基板に前記不純物を注入して前記拡散層と前記リング層を形成し、 前記第1及び第2の薄膜の膜厚は異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (8件)：
H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 658 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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