特許

J-GLOBAL ID：201503008159676743

直流-直流変換装置

発明者： 鷁頭 政和
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松本 隆
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012083406
公開番号（公開出願番号）：WO2013-132726
出願日： 2012年12月25日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【課題】 直流-直流変換装置の半導体スイッチの遮断電流を小さくし、電力変換効率の低下を防止する。【解決手段】 直流-直流変換装置における変圧器(2)の一次側の回路として4個の半導体スイッチ素子(101〜104)を用いたフルブリッジ構成の回路を用いた。この構成では、変圧器(2)の一次巻線(21)と二次巻線(22)の巻数比を大きくして、一次巻線(21)に発生させる電圧(V21)を大きく、変圧器(2)の一次巻線(21)に流れる電流を小さくし、半導体スイッチ素子(101〜104)の遮断電流を小さくすることができる。従って、電力変換効率の低下を防止することができる。

請求項（抜粋）：

直流電源から与えられる入力直流電圧に基づいて変圧器の一次巻線に交流電圧を発生させ、前記変圧器の二次巻線に発生する交流電圧を整流し、平滑化して直流電圧を出力する直流-直流変換装置において、 第1および第2の半導体スイッチ素子を直列接続してなり、前記第1の半導体スイッチ素子が前記直流電源の正極側に、前記第2の半導体スイッチ素子が前記直流電源の負極側に各々設けられた第1の直列アームと、 第3および第4の半導体スイッチ素子を直列接続してなり、前記第3の半導体スイッチ素子が前記直流電源の正極側に、前記第4の半導体スイッチ素子が前記直流電源の負極側に各々設けられた第2の直列アームと、 前記第1〜第4の半導体スイッチ素子に並列接続された第1〜第4のコンデンサと、 前記第1〜第4の半導体スイッチ素子に並列接続された第1〜第4のダイオードと、 前記第1および第2の半導体スイッチ素子間の共通ノードと前記第3および第4の半導体スイッチ素子間の共通ノードとの間に、前記変圧器の一次巻線とともに直列に介挿された共振用リアクトルおよび共振用コンデンサと、 前記第1および第4の半導体スイッチ素子をONにする第1のパルスと前記第2および第3のスイッチ素子をONにする第2のパルスとを交互かつ周期的に発生するパルス発生手段と を具備することを特徴とする直流-直流変換装置。

IPC (1件)：

H02M 3/28

FI (1件)：

H02M3/28 Q

Fターム (10件)：

5H730AA14 ,  5H730BB27 ,  5H730BB65 ,  5H730DD04 ,  5H730DD16 ,  5H730EE04 ,  5H730EE07 ,  5H730EE59 ,  5H730FD01 ,  5H730FG05