特許
J-GLOBAL ID:201503009355310671
FePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
松山 圭佑
, 高矢 諭
, 牧野 剛博
, 藤田 崇
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013050430
公開番号(公開出願番号):WO2013-105648
出願日: 2013年01月11日
公開日(公表日): 2013年07月18日
要約:
複数のターゲットを用いることなく、磁気記録媒体として使用可能なFePt系合金を含む薄膜を、単独で形成することができるFePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 Fe、Ptおよび金属酸化物を含有し、さらにFe、Pt以外の1種以上の金属元素を含有するFePt系スパッタリングターゲットであって、Ptを40at%以上60at%未満、Fe、Pt以外の前記1種以上の金属元素を0at%よりも多く20at%以下含有し、かつ、Ptと前記1種以上の金属元素の合計が60at%以下であり、残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相と、不可避的不純物を含む金属酸化物相とが互いに分散した構造を有し、ターゲット全体に対する前記金属酸化物の含有量が20vol%以上40vol%以下である。
請求項(抜粋):
Fe、Ptおよび金属酸化物を含有し、さらにFe、Pt以外の1種以上の金属元素を含有するFePt系スパッタリングターゲットであって、
Ptを40at%以上60at%未満、Fe、Pt以外の前記1種以上の金属元素を0at%よりも多く20at%以下含有し、かつ、Ptと前記1種以上の金属元素の合計が60at%以下であり、残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相と、不可避的不純物を含む金属酸化物相とが互いに分散した構造を有し、
ターゲット全体に対する前記金属酸化物の含有量が20vol%以上40vol%以下であることを特徴とするFePt系スパッタリングターゲット。
IPC (7件):
C23C 14/34
, C23C 14/06
, C22C 5/04
, C22C 1/05
, B22F 3/14
, G11B 5/64
, G11B 5/851
FI (7件):
C23C14/34 A
, C23C14/06 T
, C22C5/04
, C22C1/05 A
, B22F3/14 A
, G11B5/64
, G11B5/851
Fターム (25件):
4K018AA02
, 4K018AB01
, 4K018AB07
, 4K018AC01
, 4K018BA01
, 4K018BD02
, 4K018BD09
, 4K018DA31
, 4K018EA01
, 4K018KA29
, 4K029BA22
, 4K029BA26
, 4K029BD11
, 4K029DC04
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5D006BB05
, 5D006BB06
, 5D006DA03
, 5D006EA03
, 5D112AA05
, 5D112AA24
, 5D112BB02
, 5D112FA04
, 5D112FB02
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