MEMSデバイスおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012058659
公開番号（公開出願番号）：WO2013-145287
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

複数の貫通孔を高密度に配置でき、貫通孔の先端部が先細りしている形状のMEMSデバイスおよびその製造方法を提供する。(100)結晶面を平面に持つシリコン基板に、任意の寸法の四角形パターニングを配置し、高アスペクト比が加工できるドライエッチング加工によって任意の深さまでエッチング加工を行う工程、およびイソプロピルアルコールが混合された水酸化カリウム水溶液によって異方性ウエットエッチング加工を行う工程を含む加工によって側面が垂直な貫通孔で底部が先細りの貫通孔を提供する。

請求項（抜粋）：

第一の表面と第二の表面を有する半導体基板と、該第一の表面から半導体基板中に形成された孔であって、第一の表面の開口部からの側面がほぼ垂直面であり内部において斜面となって孔径が小さくなっている垂直孔とを有するデバイス構造を用いたことを特徴とするMEMSデバイス。

IPC (3件)：

B81B 7/02 , B41J 2/14 , B41J 2/16

FI (4件)：

B81B7/02 , B41J2/14 501 , B41J2/16 401 , B41J2/16 501

Fターム (28件)：

2C057AF34 , 2C057AF93 , 2C057AG02 , 2C057AG09 , 2C057AG14 , 2C057AP32 , 2C057AP33 , 2C057AP34 , 2C057AP56 , 2C057AQ02 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 2C057DB01 , 2C057DB02 , 3C081AA11 , 3C081BA03 , 3C081BA06 , 3C081BA07 , 3C081BA32 , 3C081BA45 , 3C081BA48 , 3C081BA55 , 3C081CA14 , 3C081CA15 , 3C081CA32 , 3C081DA03 , 3C081EA02 , 3C081EA35

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