特許

J-GLOBAL ID：201503010382867768

光起電力素子及びその製造方法

発明者： 佐藤 大典 ,  矢口 裕之 ,  八木 修平
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学
代理人 (2件)： 山本 典輝 ,  岸本 達人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012062365
公開番号（公開出願番号）：WO2013-128661
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年09月06日
要約：

本発明は、従来よりも性能を高めることが可能な、禁制帯中に局在準位又は中間バンドをもつ半導体を用いた光起電力素子を提供することを主目的とする。本発明は、第1半導体材料により形成された第1層、及び、第1半導体材料とは異なる第2半導体材料により形成された第2層を備え、第2半導体材料は、その禁制帯中に局在準位又は中間バンドを有し、第1層及び第2層が繰り返し積層されており、一対の第1層の間に配置された第2層を、少なくとも2以上有し、第2層の厚さが第1半導体材料の4分子層の厚さ未満である、光起電力素子とする。

請求項（抜粋）：

第1半導体材料により形成された第1層、及び、前記第1半導体材料とは異なる第2半導体材料により形成された第2層を備え、 前記第2半導体材料は、その禁制帯中に局在準位又は中間バンドを有し、 前記第1層及び前記第2層が繰り返し積層され、 一対の前記第1層の間に配置された前記第2層を、少なくとも2以上有し、 前記第2層の厚さが前記第1半導体材料の4分子層の厚さ未満である、光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L 31/035 ,  H01L 31/025

FI (2件)：

H01L31/04 340 ,  H01L31/04 320

Fターム (1件)：

5F151AA08