特許

J-GLOBAL ID：201503010397033154

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大井 淳 ,  大竹 智史
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-023101
公開番号（公開出願番号）：特開2015-149459
出願日： 2014年02月10日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：

【課題】半導体チップの電極が配線基板の電極にフリップチップ接続され、それらの間にアンダーフィル樹脂が形成された半導体装置において、電気的な接続の信頼性を向上させること。【解決手段】断面形状が逆台形状の第1の電極50を備えた配線基板6と、断面形状が逆台形状の第2の電極20を備えた半導体チップ5と、対向する第1の電極50の先端と第2の電極20の先端とを接合する金属接合材26と、配線基板6と半導体チップ5との間に充填され、第1の電極50及び第2の電極20の各側面と金属接合材26の側面とを被覆するアンダーフィル樹脂60とを含む。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

断面形状が逆台形状の第1の電極を備えた配線基板と、 断面形状が逆台形状の第2の電極を備えた半導体チップと、 対向する前記第1の電極の先端と前記第2の電極の先端とを接合する金属接合材と、 前記配線基板と前記半導体チップとの間に充填され、前記第1の電極及び前記第2の電極の各側面と前記金属接合材の側面とを被覆するアンダーフィル樹脂と を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/34

FI (4件)：

H01L21/60 311S ,  H01L21/92 602R ,  H01L23/12 501B ,  H05K3/34 501E

Fターム (17件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC11 ,  5E319BB01 ,  5E319CC33 ,  5E319CD25 ,  5E319GG11 ,  5E319GG20 ,  5F044KK01 ,  5F044KK17 ,  5F044KK19 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体素子および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-144904   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-132967   出願人：富士通株式会社
• 配線基板およびその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-212783   出願人：京セラ株式会社