プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：渡邊和浩 , 星宮勝美 , 城澤達哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-131425
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005475
出願日： 2013年06月24日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
要約：

【課題】基板面内での処理の均一性を確保できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】上部電極3は、長辺3aと短辺3bとを有する矩形をなしている。上部電極3において、高周波電源7から給電線71を介して高周波電力が供給される給電部位P1と、配線91を介してインピーダンス調整装置9が接続される接続部位P2とは、上部電極3における下部電極5との対向面37を間に挟んで、それぞれ反対側に形成されている。給電部位P1及び接続部位P2は、いずれも上部電極3の長辺3aの側部に設けられている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真空引き可能な処理容器と、前記処理容器内において、基板を間に挟んで互いに対向して配置されるカソード電極及びアノード電極と、前記カソード電極に高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記カソード電極に接続されて該カソード電極のインピーダンスを調整する一つ又は複数のインピーダンス調整装置と、を備え、前記カソード電極において、前記高周波電力が供給される給電部位と、前記インピーダンス調整装置が接続される接続部位のうち、少なくとも一つの接続部位とが、前記カソード電極における前記アノード電極との対向面を間に挟んで、それぞれ反対側に形成されているプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , C23C 16/509

FI (5件)：

H05H1/46 M , H01L21/205 , H01L21/31 C , H05H1/46 R , C23C16/509

Fターム (18件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB04 , 4K030FA03 , 4K030KA15 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045BB03 , 5F045DP19 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH13 , 5F045EH19

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