特許

J-GLOBAL ID：201503010976335677

発光ダイオードのための{20-2-1}半極性窒化ガリウムのPECエッチング

発明者： シュー, チュン-タ ,  フアン, チア-イェン ,  ザオ, ユージ ,  フアン, シー-チエー ,  フィーゼル, ダニエル エフ. ,  デンバース, スティーブン ピー. ,  ナカムラ, シュウジ ,  スペック, ジェイムズ エス.
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (2件)： 山本 秀策 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-530092
公開番号（公開出願番号）：特表2015-532009
出願日： 2013年08月30日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：

半極性{20-2-1}III族窒化物半導体上またはその上方に形成される1つ以上の活性層からの光抽出を改善し、かつその外部効率を向上させるために、半極性{20-2-1}III族窒化物半導体の露出表面上で光電気化学(PEC)エッチングを行う方法。一実施形態において、光電気化学エッチングは、半極性{20-2-1}III族窒化物半導体の露出表面を成形、パターン化、または粗面化するために行われる。一実施形態において、光電気化学エッチングのために、電解質として約0.001M〜約1MのKOH濃度を選択し、約2オングストローム/秒〜約8オングストローム/秒の露出表面に対するエッチング率を得ることをさらに含む。

請求項（抜粋）：

発光素子を製作する方法であって、 半極性{20-2-1}III族窒化物半導体上またはその上方に形成される1つ以上の活性層からの光抽出を改善し、かつその外部効率を向上させるために、前記半極性{20-2-1}III族窒化物半導体の露出表面上で光電気化学(PEC)エッチングを行うことを含む、方法。

IPC (4件)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/16 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 160 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/306 L

Fターム (10件)：

5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043GG10 ,  5F241AA03 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA74 ,  5F241CB15