特許

J-GLOBAL ID：201503011028119017

半導体装置

発明者： 高谷 秀史 ,  副島 成雄
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-224078
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078554
特許番号：特許第5747891号
出願日： 2012年10月09日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、 半導体基板の上面に設けられた第1主電極と、 半導体基板の下面に設けられた第2主電極と、を有しており、 半導体基板は、 半導体基板の上面に臨む範囲に形成されると共に、第1主電極に接続されている第1導電型のボディ領域と、 ボディ領域の下面に接している第2導電型のドリフト領域と、 ボディ領域を貫通してドリフト領域にまで伸びるゲートトレンチ内に配置され、ボディ領域と対向しているゲート電極と、 ゲート電極とゲートトレンチの壁面との間に配置されているゲート絶縁膜と、を有しており、 ゲート絶縁膜の下面には、上方に向かって凹となる凹所が形成されており、 その凹所内には、その周囲がゲート絶縁膜とドリフト領域によって囲まれている第1導電型のフローティング領域が形成されており、 そのフローティング領域は、ゲート絶縁膜の下面の最も下方に位置する部分よりも下方にゲート絶縁膜に印加される電界を緩和するために十分な大きさで突出しており、第1主電極と第2主電極の間に逆バイアス電圧が印加された時に完全には空乏化しない大きさに形成されている、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 652 H

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-283653   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (1件)

• 半導体装置製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-283653   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所