特許

J-GLOBAL ID：201503011141230447

ESD保護デバイスおよびその製造方法

発明者： 鷲見 高弘 ,  石川 久美子 ,  足立 淳 ,  築澤 孝之
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013054628
公開番号（公開出願番号）：WO2013-129270
出願日： 2013年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月06日
要約：

低印加電圧での放電特性に優れたESD保護デバイスを提供する。 互いに対向するように配置された第1および第2の放電電極と、第1および第2の放電電極間に跨るように形成された放電補助電極と、第1および第2の放電電極ならびに放電補助電極を保持する絶縁体基材とを備える、ESD保護デバイスにおいて、放電補助電極が、第1の金属を主成分とする複数の金属粒子(22)を含み、この金属粒子(22)の表面には微細な凹凸が形成されること、より特定的には、金属粒子(22)のフラクタル次元Dが1.03以上であることを特徴としている。微細な凹凸部には電荷が集中するため、放電補助電極において、比較的低い印加電圧で放電を生じさせることができる。

請求項（抜粋）：

互いに対向するように配置された第1および第2の放電電極と、 前記第1および第2の放電電極間に跨るように形成された放電補助電極と、 前記第1および第2の放電電極ならびに前記放電補助電極を保持する絶縁体基材と を備え、 前記放電補助電極は、第1の金属を主成分とする複数の金属粒子を含み、 前記金属粒子のフラクタル次元Dが1.03以上である、 ESD保護デバイス。

IPC (8件)：

H01T 1/20 ,  H01T 2/02 ,  H01T 4/10 ,  H01T 4/12 ,  C22C 9/01 ,  B22F 5/00 ,  B22F 9/08 ,  B22F 1/00

FI (8件)：

H01T1/20 F ,  H01T2/02 F ,  H01T4/10 G ,  H01T4/12 F ,  C22C9/01 ,  B22F5/00 J ,  B22F9/08 A ,  B22F1/00 L

Fターム (15件)：

4K017AA04 ,  4K017BA05 ,  4K017BB01 ,  4K017CA07 ,  4K017DA01 ,  4K017EB00 ,  4K018AA04 ,  4K018BA02 ,  4K018BB01 ,  4K018BB04 ,  4K018BD04 ,  4K018CA44 ,  4K018DA14 ,  4K018DA33 ,  4K018KA37