特許

J-GLOBAL ID：201503011235787097

半導体装置およびその製造方法

発明者： 倉橋 健一郎 ,  南條 拓真 ,  柳生 栄治 ,  岡崎 拓行
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-094492
公開番号（公開出願番号）：特開2015-213100
出願日： 2014年05月01日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：

【課題】本発明は、逆方向リーク電流を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体装置は、AlGaNバリア層4と、AlGaNバリア層4上に形成されたSiNからなる表面保護膜8とを備え、表面保護膜8は、ストイキオメトリなSi3N4よりもSi/N比において窒素の比率が高く、かつ、表面保護膜8中の水素の含有量が10%未満であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層上に形成されたSiNからなる保護膜と、 を備え、 前記保護膜は、ストイキオメトリなSi3N4よりもSi/N比において窒素の比率が高く、かつ前記保護膜中の水素の含有量が10%未満であることを特徴とする、半導体装置。

IPC (18件)：

H01L 21/337 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/318

FI (15件)：

H01L29/80 P ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617K ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 C ,  H01L29/44 Y ,  H01L21/90 K ,  H01L29/58 G ,  H01L29/48 D ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/318 B

Fターム (129件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE20 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM18 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033RR20 ,  5F033SS09 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC08 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK42 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA24 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE09 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 水素を含まないスパッタリングされた窒化物を有するワイドバンドギャップベースの半導体デバイスの不動態化
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-218759   出願人：クリー,インコーポレイティッド
• 窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-358512   出願人：日本電信電話株式会社
• III族窒化物半導体高電子移動度トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-043904   出願人：沖電気工業株式会社
• 窒化物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-010310   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-048899   出願人：株式会社東芝