不揮発性メモリのための混合粒度の上位レベルの冗長

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-525458
公開番号（公開出願番号）：特表2015-524975
出願日： 2013年07月23日
公開日（公表日）： 2015年08月27日
要約：

NVMに対する混合粒度の上位レベルの冗長は、改善された上位レベルの冗長動作を、よりよい誤り回復および/または低減された冗長情報オーバーヘッドと共に提供する。例えば相対的により誤りがちな、より信頼性のないNVMのページは、相対的により多くの誤り保護を有する上位レベルの冗長モードにおいて、相対的により多くの冗長情報を費やして動作される。並行して、より信頼性があるNVMのブロックは、相対的により少ない保護を有する上位レベルの冗長モードにおいて、相対的により少ない冗長情報を費やして動作される。相対的により少ない誤り保護を有する上位レベルの冗長モードにおいてNVMの全体を動作させる技術と比較して、ここに記載された技術はよりよい誤り回復を提供する。相対的により多くの誤り保護を有する上位レベルの冗長モードにおいてNVMの全体を動作させる技術と比較して、ここに記載された技術は低減された冗長情報オーバーヘッドを与える。

請求項（抜粋）：

M個の情報部分をメモリのM個のそれぞれの領域において格納することを含む第1の上位レベルの冗長モードで動作することを含み、前記M個のそれぞれの領域の各々は同じ第1のサイズであり;さらに、 N個の情報部分を前記メモリのN個のそれぞれの領域において格納することを含む第2の上位レベルの冗長モードで動作することを含み、前記N個のそれぞれの領域の各々は同じ第2のサイズであり; 前記M個の情報部分は、それぞれのM-J個のデータ情報部分、および前記それぞれのM-J個のデータ情報部分を保護するために計算されるそれぞれのJ個の冗長情報部分を含み; 前記N個の情報部分は、それぞれのN-K個のデータ情報部分、および前記それぞれのN-K個のデータ情報部分を保護するために計算されるそれぞれのK個の冗長情報部分を含み; 前記M個のそれぞれの領域の各々および前記N個のそれぞれの領域は、前記メモリの非重複領域であり; 前記第1のサイズは前記第2のサイズと異なり; 前記M個のそれぞれの領域の各々は、前記メモリのM個の物理デバイスのそれぞれの1つにあり、前記N個のそれぞれの領域の各々は、前記メモリのN個の物理デバイスのそれぞれの1つにある、方法。

IPC (2件)：

G06F 12/16 , G06F 3/06

FI (3件)：

G06F12/16 320G , G06F3/06 305C , G06F3/06 301Z

Fターム (5件)：

5B018HA14 , 5B018MA22 , 5B018NA06 , 5B018QA16 , 5B018RA02

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