特許
J-GLOBAL ID:201503012264553130

窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-512891
公開番号(公開出願番号):特表2015-517691
出願日: 2013年05月17日
公開日(公表日): 2015年06月22日
要約:
マイクロ電子デバイスからバルクおよび/または硬化レジストを除去するための方法および低pH組成物が開発された。低pH組成物は、硫酸と、少なくとも1種のリン含有酸とを含む。低pH組成物は、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去しながら、その下層の1以上のシリコン含有層または金属ゲート材料にダメージを与えることがない。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
レジストを剥離するための組成物であって、硫酸と、少なくとも1種のリン含有酸とを含むが、前記リン含有酸がリン酸それ自体を含むことはできない、組成物。
IPC (2件):
G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F7/42 ,  H01L21/30 572B
Fターム (3件):
2H196AA25 ,  2H196LA03 ,  5F146MA02

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