特許
J-GLOBAL ID:201503012414567250

磁気記録媒体に用いる低飽和磁束密度を有する軟磁性膜層用合金およびスパッタリングターゲット材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 椎名 彊
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-022096
公開番号(公開出願番号):特開2013-161497
特許番号:特許第5778052号
出願日: 2012年02月03日
公開日(公表日): 2013年08月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】at%で、Y,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Ni,Cu,Al,B,C,Si,P,Zn,Ga,Ge,Snを1種以上、残部CoおよびFeからなり、下記の式(1)〜(4)を満たすことを特徴とした磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金。 (1)0.65≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.80 (2)5≦TAM≦25 (3)15≦TAM+TNM≦25 (4)0≦(Nb%+Ta%)/(TAM+TNM)≦0.26 ただし、 TAM=Y%+Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+B%/2 TNM=Cr%+Mo%+W%+Mn%+Ni%/3+Cu%/3+Al%+C%+Si%+P%+Zn%+Ga%+Ge%+Sn%
IPC (5件):
G11B 5/738 ( 200 6.01) ,  C22C 45/02 ( 200 6.01) ,  C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C23C 14/14 ( 200 6.01) ,  G11B 5/851 ( 200 6.01)
FI (5件):
G11B 5/738 ,  C22C 45/02 A ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/14 F ,  G11B 5/851
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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